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2530V双芯片不对称功率MOSFETSiZ300DT和SiZ910DTVishay万芳

发布时间:2020-02-14 11:58:47 阅读: 来源:钢纤维厂家

25/30V双芯片不对称功率MOSFET SiZ300DT和SiZ910DT(Vishay)

采用PowerPAIR 6 x 3.7封装的三款新器件是业内首批产品,再加上此前推出的SiZ710DT,使这种尺寸规格器件的电压范围从20V扩展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件,SiZ790DT是采用这种尺寸规格并提供一个板上肖特基二极管的首款器件。SiZ730DT是首个具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。

下表提供了所有五款新器件及SiZ710DT的详细性能规格。有关Vishay的PowerPAIR MOSFET完整产品组合的信息,请访问http://www.vishay.com/mosfets/powerpair-package/。

器件编号

Ch

VDS (V)

VGS (V)

RDS(on) at

VGS =

Qg at VGS =

ID at TA =

10 V

(W)

4.5 V

(W)

10 V

(nC)

4.5 V

(nC)

25 °C

(A)

70 °C

(A)

不对称双芯片N沟道

PowerPAIR 3 x 3

SiZ300DT

1

30

20

0.024

0.032

7.4

3.5

9.8

7.8

2

30

20

0.011

0.0165

14.2

6.8

14.9

11.9

PowerPAIR 6 x 3.7

SiZ710DT

1

20

20

0.0068

0.009

11.5

6.9

16

15

2

20

20

0.0033

0.0043

38

18.2

30

24

SiZ728DT

1

25

20

0.0077

0.011

17

8.1

16

14.2

2

25

20

0.0035

0.0048

42.5

20.5

28.8

23

SiZ730DT

1

30

20

0.0093

0.013

15.6

7.7

12.9

10.3

2

30

20

0.0039

0.0053

43

21.2

26.4

21.1

PowerPAIR 6 x 5

SiZ910DT

1

30

20

0.0058

0.0075

26

12.5

22

17

2

30

20

0.0030

0.0035

60

29

32

26

不对称双芯片N沟道外加集成的肖特基二极管

PowerPAIR 6 x 3.7

SiZ790DT

1

30

20

0.0093

0.013

15.6

7.7

12.9

10.3

2

30

20

0.0047

0.0059

36

17

23.4

18.7

Vishay Siliconix PowerPAIR 家族中的各款器件将两个MOSFET以最优的方式组合在单片封装内,帮助简化高效同步降压单相和多相DC/DC转换器的设计。通过增大低边MOSFET的尺寸以实现更低的传导损耗,器件的不对称配置有效提高了性能表现。Vishay充分发挥TrenchFET Gen III技术和PowerPAIR的不对称特点,将低边MOSFET的最大导通电阻降至3m ,比同档的不对称器件降低了几乎50%。

PowerPAIR器件为设计者提供了两个封装在一起的MOSFET,能够简化PCB布线并减少寄生电感,从而帮助降低开关损耗并提高效率。

新的PowerPAIR器件将在各种电子产品中更有效地使用能源和空间,这些产品包括笔记本电脑和桌面电脑、服务器、游戏机、机顶盒、电视机和调制解调器。

新款PowerPAIR器件现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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